TOLL（Transistor Outline Leadless）封裝的MOSFET，由于其封裝形式具有小體積、低封裝電阻、低寄生電感、低熱阻等特點(diǎn)，已經(jīng)在戶外電源、家庭儲(chǔ)能電源、汽車啟動(dòng)電源、光伏儲(chǔ)能電源等終端客戶得到廣泛使用。

SG29N11TL 工作原理

SG29N11TL 采用了我們獨(dú)有的SGTMOS（Super Grid Trench MOS）技術(shù)，結(jié)合了超級(jí)結(jié)和溝槽柵極的優(yōu)勢(shì)：

SGT MOS，即屏蔽柵溝槽MOS，是在傳統(tǒng)溝槽型MOS的基礎(chǔ)上發(fā)展而來的一種新型功率半導(dǎo)體器件。其基本原理與普通MOS相似，都是基于場效應(yīng)晶體管（FET）的基本原理，通過柵極電壓控制溝道區(qū)域的導(dǎo)電性，從而實(shí)現(xiàn)電流的開關(guān)和調(diào)節(jié)。然而，SGT MOS在結(jié)構(gòu)上進(jìn)行了創(chuàng)新，通過引入屏蔽柵極技術(shù)，顯著提升了器件的性能和穩(wěn)定性，增加了單位面積的耐壓，降低了Rdson和Crss，使得開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗極大程度的減小。

儲(chǔ)能應(yīng)用方案案例

太陽能（光伏面板+MPPT）

關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)：

低RDS(on)減少導(dǎo)通損耗，提高M(jìn)PPT效率

優(yōu)異的Qg特性允許高頻操作，減小磁性元件體積

110V耐壓為系統(tǒng)設(shè)計(jì)提供足夠裕度

實(shí)現(xiàn)效果：

MPPT效率達(dá)99.5%

轉(zhuǎn)換效率峰值98.2%

AC輸出(逆變+隔離DC-DC)

關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)：

低RDS(on)和出色的開關(guān)特性maximizes system efficiency

優(yōu)異的Body Diode特性減少反向恢復(fù)損耗

卓越的熱性能簡化散熱設(shè)計(jì)，提高可靠性

實(shí)現(xiàn)效果：

DC-DC級(jí)效率達(dá)98.5%

逆變級(jí)效率達(dá)98%

雙向轉(zhuǎn)換效率峰值96.5%

DC輸出(非隔離DC-DC)

關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)：

極低RDS(on)顯著提高系統(tǒng)效率

優(yōu)秀的開關(guān)特性允許高頻操作，減小輸出濾波需求

并聯(lián)能力強(qiáng)，thermal performance優(yōu)異

實(shí)現(xiàn)效果：

峰值效率達(dá)98.2%

功率密度達(dá)到52W/in3

瞬態(tài)響應(yīng)時(shí)間<50μs for 50% load step

BMS充放電MOS與防護(hù)

關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)：

低RDS(on)減少系統(tǒng)功耗，延長續(xù)航里程

優(yōu)異的雪崩能力和SOA特性提供可靠的過載保護(hù)

快速開關(guān)特性允許實(shí)現(xiàn)高精度電流控制和保護(hù)

實(shí)現(xiàn)效果：

系統(tǒng)效率提升3%

保護(hù)響應(yīng)時(shí)間<5μs

電池組壽命延長20%

SG29N11TL 封裝尺寸圖

SG29N11TL MOSFET 特點(diǎn)

這些特點(diǎn)使SG29N11TL在儲(chǔ)能、光伏等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景，能夠幫助設(shè)計(jì)師顯著提升系統(tǒng)性能和可靠性。

通過以上應(yīng)用案例，我們可以清晰地看到SG29N11TL在儲(chǔ)能產(chǎn)品系統(tǒng)的各個(gè)關(guān)鍵環(huán)節(jié)都展現(xiàn)出了卓越的性能。

我們致力于為客戶的具體應(yīng)用提供全面的技術(shù)支持。如果您在儲(chǔ)能產(chǎn)品設(shè)計(jì)中遇到任何挑戰(zhàn)，或者希望進(jìn)一步優(yōu)化您的方案，歡迎隨時(shí)與我們聯(lián)系。讓我們攜手推動(dòng)儲(chǔ)能技術(shù)的創(chuàng)新與進(jìn)步！